IBM и Samsung разработали новую вертикальную транзисторную архитектуру полупроводников

IBM совместно с Samsung Electronics разработали новую вертикальную транзисторную архитектуру полупроводников.

Архитектура VTFET открывает возможность масштабирования чипа в верх без ограничений связанных с площадью нанопластины, а также может позволить снизить потребление энергии на 85% по сравнению с горизонтальным масштабированием finFET.